其缺點(diǎn)是：

1）工藝比傳統單色PVD的更為復雜，流程更為繁雜，生產(chǎn)難度高；

2）生產(chǎn)良率低，大約為65～70%（傳統單色PVD的生產(chǎn)良率一般為85～90%；

3）價(jià)格會(huì )比傳統單色PVD的高50～60%；

4）因工藝和流程的影響，雙色PVD生產(chǎn)限制較多，受產(chǎn)品結構的影響較大，碭山鍍鈦廠(chǎng)家多少錢(qián)，而傳統單色PVD則幾乎不受限制

現代涂層設備(均勻加熱技術(shù)、溫度測量技術(shù)、非平衡磁控濺 射技術(shù)、輔助陽(yáng)極技術(shù)、中頻電源、脈沖技術(shù)) 現代涂層設備主要由真空室、真空獲得部分、真空測量部分、電源供給部分、工藝氣體輸入系統、機械傳動(dòng)部分、加熱及測溫部件、離子蒸發(fā)或濺射源、水冷系統等部分組成。

在真空條件下，采用低電壓、大電流的電弧放電技術(shù)，利用氣體放電使靶材蒸發(fā)并使被蒸發(fā)物質(zhì)與氣體都發(fā)生電離，利用電場(chǎng)的加速作用，使被蒸發(fā)物質(zhì)及其反應產(chǎn)物沉積在工件上。

PVD真空鍍層按照膜層應用來(lái)分類(lèi)可分為裝飾膜層和硬質(zhì)膜層：

裝飾膜層可以改善工件外觀(guān)裝飾性能和色澤同時(shí)使工件更耐磨耐腐蝕；硬質(zhì)膜層用于提高工件的表面硬度和耐磨性，降低表面的摩擦系數，表面鍍鈦廠(chǎng)家多少錢(qián)，提高工件的使用壽命。

基片置于合適的位置是獲得均勻薄膜的前提條件.

b、壓強的大小. 為了保證膜層質(zhì)量，壓強應盡可能低Pr≦(Pa)

L表示蒸發(fā)源到基片的距離為L(cháng)(cm)。

c、蒸發(fā)速率.蒸發(fā)速率小時(shí)，沉積的膜料原子(或分子)上立刻吸附氣體分子，因而形成的膜層結構疏松，顆粒粗大，缺陷多;反之，膜層結構均勻致密，機械強度高，膜層內應力大.

d、基片的溫度.在通常情況下，基片溫度高時(shí)，吸附原子的動(dòng)能隨之增大，真空鍍鈦廠(chǎng)家多少錢(qián)，形成的薄膜容易結晶化，并使晶格缺陷減少;基片溫度低時(shí)，則沒(méi)有足夠大的能量供給吸附原子，因而容易形成無(wú)定形態(tài)薄膜.